[实用新型]一种功率半导体器件管壳有效
| 申请号： | 202020227090.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN211743146U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;周文鹏;刘佳鹏;陈政宇;赵彪;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/492;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 管壳 | ||
【主权项】：
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