[实用新型]一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路有效
申请号: | 202020353862.3 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN212255458U | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 伍文俊;左冉阳;崔东杰;蔡雨希 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R31/26 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 曾庆喜 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路,包括漏源电压检测单元,漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元;电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元;信号调理单元还连接DSP控制器单元;DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流;SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本实用新型通过SiCMOSFET的漏源电压就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流,将该电流可直接用于电力变换器的控制系统中,降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 sic mosfet 电流 检测 电路 | ||
【主权项】:
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