[实用新型]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构有效
| 申请号： | 202020484870.1 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN211743099U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 汪鹏;徐建卫;徐艳 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 刘跃 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，包括：单晶硅寸底以及若干个湿法腐蚀凹槽，若干个所述湿法腐蚀凹槽开设在单晶硅寸底上，所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形；本实用新型涉及硅湿法腐蚀监控技术领域,该硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，巧妙利用了硅各向异性湿法腐蚀的特点，可以根据产品腐蚀槽开口宽度的要求，设计出相应的监控图形，在形成产品腐蚀槽的同吋形成监控结构，通过监视监控结构，从而直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐开口宽度。对监控结构可使用普通常用显微镜进行监视，操作方便，且成本较低，并可达到较高的监控精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 尺寸 开口 宽度 监控 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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