[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202020607721.X | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN212182338U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，半导体结构中，异质结上依次形成有P型离子掺杂层与绝缘层，P型离子掺杂层包括激活区与非激活区，激活区位于栅极区域，激活区中的P型掺杂离子被激活，非激活区位于非栅极区域；绝缘层具有暴露激活区的开口；激活区上，和/或异质结的源极区域上，和/或异质结的漏极区域上具有N型离子重掺杂层。利用绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层，使得P型离子掺杂层中，被绝缘层的开口暴露的区域形成激活区，覆盖绝缘层的区域形成非激活区，避免P型离子掺杂层的刻蚀，从而避免刻蚀损失。N型离子重掺杂层使得源极、漏极、栅极可直接形成欧姆接触层，避免高温退火。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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