[实用新型]一种导流器及等离子化学气相沉积设备有效
申请号: | 202020631414.5 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN211972444U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 张强;朴范求;杨远江;李天明;贺清柯;李杰;朱亚;王愉;袁富军;曹丙垒;黄鑫鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种导流器及等离子化学气相沉积设备,涉及等离子化学气相沉积技术领域,以减少导流器的边缘连接部与其对应的螺钉震动摩擦产生的异物量,降低产品的不良率。该导流器与其上方结构件及下方结构件固定连接,用于将其上方结构件处的气体导流至其下方结构件上,包括边缘连接部和中部导流部,边缘连接部用于与上方结构件螺接,中部导流部对应上方结构件的气体沉积孔设置,中部导流部的下表面开设有紧固孔,紧固孔用于配合安装柱形紧固件,以将下方结构件固定在中部导流部的下方,紧固孔的内侧壁与中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀。本实用新型可用于等离子化学气相沉积镀膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 导流 等离子 化学 沉积 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的