[实用新型]一种子像素列及双栅结构阵列基板有效
申请号: | 202020677523.0 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN211529953U | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 于靖;陈海雷;李志荣;张泽鹏 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 李健威 |
地址: | 620500 四川省眉山*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种子像素列,包括一数据线和两列子像素电极,所述数据线沿列方向呈连续弓形走线以沿列方向形成多个容纳区域,一列子像素电极中的各个子像素电极及其TFT开关分布于对应的容纳区域内,另一列子像素电极中的各个子像素电极及其TFT开关分布于对应的容纳区域外;各个TFT开关中的漏极沿行方向的朝向相一致。该子像素列在制作TFT开关时,即使所述TFT开关中的栅极和漏极之间发生对位偏移,也能够保证各个TFT开关中的栅极和漏极之间的寄生电容相一致,保证显示均匀性。本实用新型还提供一种双栅结构阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 种子 像素 结构 阵列 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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