[实用新型]半导体存储器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：一半导体基板；字线结构，位在所述半导体基板中并往第一方向延伸；位线结构，位在所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间，其中所述间隔物结构具有一上半部位与一下半部位，所述上半部位的宽度大于所述下半部位，且所述间隔物结构的内部具有空隙；以及接触结构，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接。