[实用新型]FD-SOI衬底结构及器件结构有效
| 申请号： | 202020792435.5 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN211828771U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本实用新型提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本实用新型的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO |
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| 搜索关键词： | fd soi 衬底 结构 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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