[实用新型]一种MOSFET功率器件有效
| 申请号： | 202020827723.X | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN212182339U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孙晓儒;徐栋;张诚阳 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司;无锡玛盟特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;魏小霞 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及芯片技术领域，特别涉及一种MOSFET功率器件。所述一种MOSFET功率器件，包括：N+衬底层，所述N+衬底层上设置有N‑外延层，所述N‑外延层上部设置有P‑BODY区，所述P‑BODY区下部设置有高掺杂区，所述P‑BODY区上部设置有Source区，所述P‑BODY区深度值大于等于6um。本技术方案中的P‑BODY区深度值大于等于6um，通过增加P‑BODY区深度，可以有效减小元胞间距，将漏极加偏压后，P‑BODY区和N‑外延层可以迅速连起来类似平面结，则器件的耐压比较理想而且稳定。通过在P‑BODY区下部设置有高掺杂区减小基区电阻，可有效避免寄生三极管误导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 功率 器件 | ||
【主权项】：
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