[实用新型]一种防腐蚀的单晶硅片有效
申请号: | 202020868205.2 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN212085016U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 张弓 | 申请(专利权)人: | 新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;C30B29/06 |
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地址: | 221400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种防腐蚀的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体的外表面设置有材料基层,所述材料基层包括石英石材料层,所述石英石材料层远离材料基层的一侧设置有金刚石基层,所述材料基层远离单晶硅片本体的一侧设置有加强层,所述加强层远离材料基层的一侧设置有制绒层,所述制绒层远离加强层的一侧设置有防腐层,所述防腐层包括二氧化硅层,所述二氧化硅层远离防腐层的一侧设置有单晶硅薄膜层。本实用新型通过设置单晶硅片本体、材料基层、加强层、制绒层和防腐层的相互配合,达到了防腐蚀性能好的优点,不会影响单晶硅片的使用效果,可以满足使用者的需求,延长了单晶硅片的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 腐蚀 单晶硅 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的