[实用新型]一种GaN基外延结构有效
| 申请号： | 202020890872.0 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN212010976U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;林志东;张恺玄;刘波亭 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基外延结构，由下至上包括衬底、成核层、晶格匹配多量子阱缓冲层和GaN缓冲层；在晶格匹配多量子阱缓冲层中，每个多量子阱周期为InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层交错组成，InAlGaN势垒层和AlGaN势阱层的晶格常数相等。本实用新型利用势垒层和势阱层的界面极化电荷形成的势阱，耗尽背景载流子，从而获得高阻值缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020890872.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电气自动化控制的散热电气柜
- 下一篇：一种多功能高低压电器箱
- 同类专利
- 专利分类
