[实用新型]一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置有效
| 申请号： | 202021001501.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN212553303U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 蓝宝;李清彬;韩景瑞;周泽成;杨旭腾;邱树杰;冯禹 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B47/14;B24B57/02;B24B47/12 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 谢树宏 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种改变SiC晶片翘曲度的抛光装置，包括机架和可转动设置于所述机架上的抛光盘，所述抛光盘上固定有一抛光垫，所述抛光垫边缘处至少设有一可转动并可下压的抛光头组件，所述抛光头组件底部设有用于收容晶片的收容槽，所述收容槽底部设有用于吸附所述晶片的吸气通道。本实用新型利用抛光头组件吸附晶片并将晶片下压至旋转的抛光垫上，抛光晶片，使晶片翘曲面平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改变 sic 晶片 曲度 抛光 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市天域半导体科技有限公司，未经东莞市天域半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021001501.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可调式连接结构
- 下一篇：一种磁吸式无线充电装置
