[实用新型]一种测试结构有效
| 申请号： | 202021090911.5 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN211879333U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种测试结构，可以包括第一金属线、第二金属线，以及第一金属线和第二金属线之间的介质层，第一金属线用于连接第一电压，第二金属线用于连接第二电压，其中，第一金属线通过连接入一个电编程熔丝来连接第一电压，和/或，第二金属线通过连接入一个电编程熔丝来连接第二电压。第一电编程熔丝和第二电编程熔丝在正常工作时电阻较小，但是在介质层击穿之后整个电路回路中产生较大的电流，此时第一金属接入的电编程熔丝和/或第二金属接入的电编程熔丝的电阻骤然变大，此时的电编程熔丝由于大电阻起到分压/降电流作用，抑制了电介质击穿处的电流而减弱击穿损伤，利于后期对击穿位置的物理失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
