[实用新型]一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 202021110081.8 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN212365946U 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 朱仕镇 申请(专利权)人: 深圳市三联盛科技股份有限公司
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/02;H01L23/31;H01L25/07
代理公司: 重庆卓茂专利代理事务所(普通合伙) 50262 代理人: 许冲
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构,包括导体固定外壳,所述导体固定外壳外部中心部位开设有凹槽,且导体固定外壳中心凹槽内设有半导体芯片,所述导体固定外壳中心凹槽部位四周开设有螺丝安装孔,且导体固定外壳的外部贴合有固定盖,并且固定盖和导体固定外壳相邻端面均开设有出料槽,所述半导体芯片的上端固定有外接片,且半导体芯片的下端固定有外接引脚,所述固定盖外壁开设有进料孔。该用于SOT23半导体的双二极管封装结构设置有导料结构,可以在一个比较小的空间内使封装胶发生流动,使封装胶可以充满整体半导体与外壳之间的缝隙中,提高封装的效果。
搜索关键词: 一种 用于 sot23 半导体 二极管 封装 结构
【主权项】:
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