[实用新型]一种金刚石基欧姆接触结构有效
申请号: | 202021193069.8 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN212461601U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 张鹏飞;陈伟东;张少鹏;王宏兴 | 申请(专利权)人: | 内蒙古工业大学 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;H01L29/45 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘徐红 |
地址: | 010051 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种金刚石基欧姆接触结构,属于半导体材料与器件技术领域。该金刚石基欧姆接触结构,包括金刚石衬底,金刚石衬底的表面设有欧姆接触电极,欧姆接触电极包括两层金属电极层,接触金刚石衬底的第一电极层为Ni金属层,第一电极层的上层为第二电极层,第二电极层为化学惰性金属层。金刚石衬底表面上还可预先设有单晶金刚石外延薄膜。在金刚石材料衬底上沉积第一电极层,在第一电极层上沉积第二电极层,之后进行快速退火形成耐高温金刚石基欧姆接触结构。本实用新型的金刚石基欧姆接触结构在高温下有良好的热稳定性和电学特性,同时显著提高了金属电极与金刚石材料之间的黏附性。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 欧姆 接触 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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