[实用新型]一种用于PMOS管的衬底电位选择电路有效
| 申请号： | 202021195331.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN212305284U | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 周威威;尹喜珍 | 申请（专利权）人： | 上海芯跳科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海融力天闻律师事务所 31349 | 代理人： | 张一超 |
| 地址： | 201199 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于PMOS管的衬底电位选择电路，属于电子领域。用于PMOS管的衬底电位选择电路可以在芯片正常工作时，输入电源(第一电源)电位高于输出电源(第二电源)电位，第二PMOS管导通，第三PMOS管关断，衬底电位选择为输入电源的电位。当芯片输入电源异常掉电时，输入电源电位低于输出电源电位，第二PMOS管关断，第三PMOS管导通，衬底电位选择为输出电源的电位。避免芯片异常掉电时PMOS管漏端寄生二极管正向导通产生的反向漏电流。用于PMOS管的衬底电位选择电路可以替换掉肖特基二极管，使PMOS管的衬底电位始终为芯片中的最高电位，消除了反向漏电流的消除了反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pmos 衬底 电位 选择 电路 | ||
【主权项】：
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