[实用新型]垂直功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202021210089.1 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN212342637U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种垂直功率MOS半导体器件，包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区，所述重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下部；位于N型漂移区内且包覆于沟槽下部的外侧壁上具有一P型掺杂扩散区，此P型掺杂扩散区上端面与P型基极区的下表面接触；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部。本实用新型垂直功率MOS半导体器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 mos 半导体器件 | ||
【主权项】：
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