[实用新型]一种IGBT过流保护电路及装置有效

专利信息
申请号: 202021249475.1 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN212305282U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 吴文臣;万顺茂;崔石磊;徐进峰;冯新建 申请(专利权)人: 上海金脉电子科技有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 200030 上海市徐*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种IGBT过流保护电路及装置,所述电路包括采样电阻R1、IGBT模块、PTC负载R2、比较锁存器L和高压源U,其中,所述IGBT模块的集电极连接PTC负载R2的一端,所述IGBT模块的发射极连接采样电阻R1的一端,所述IGBT模块的门极连接比较锁存器L;所述PTC负载R2的另一端连接高压源U的正极;所述采样电阻R1的另一端连接高压源U的负极;所述采样电阻R1与比较锁存器L连接。本实用新型通过采样电阻R1采集IGBT模块在主回路控制电路中由于负载的短路或是IGBT模块c端和e端的短路产生的大电流转换成电压信号与比较锁存器L的基准电压V信号比对(可根据实际应用场景设定)输出控制IGBT模块的驱动信号输出。
搜索关键词: 一种 igbt 保护 电路 装置
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