[实用新型]DFN5×6双基岛芯片封装结构有效
| 申请号： | 202021271260.X | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN212365961U | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 胡宇辰 | 申请（专利权）人： | 无锡汉奇微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了DFN5×6双基岛芯片封装结构，包括封装框架，封装框架的上表面固定设置有基岛A，封装框架的下表面固定设置有基岛B，封装框架一侧的左边固定设置有P1端口，P1端口的一侧固定开设有P2端口，P2端口的一侧固定开设有P3端口，P3端口的一侧固定开设有P4端口，P4端口的一侧固定设置有P5端口，封装框架另一侧的右边固定开设有P6端口，P6端口的一侧固定设置有P7端口，P7端口的一侧固定开设有P8端口，P8端口的一侧固定连接有P9端口，该DFN5×6双基岛芯片封装结构，实现高压输出，可以获取更低的导通电阻，保证了爬电距离的安全距离，具有良好的电气性能、良好的散热效果，以及采用双基岛结构无需叠封，可省去DAF膜，增加可靠性，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | dfn5 双基岛 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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