[实用新型]一种半导体器件有效

专利信息
申请号: 202021310233.9 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN212625549U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 赵承贤;李鑫;高红梅;郑义;刘浩;盘伶子 申请(专利权)人: 珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 孙兵
地址: 519060 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种半导体器件,其中,结构主要包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚、引线框架内腔中安装有二者相互电性连接的芯片和二极管FRD;所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片,导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接;通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热,从而将引线框架内腔产生的热量直接散热出。本设计的半导体器件在制作过程中,工艺也方便,采用热压方式,提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器,而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。
搜索关键词: 一种 半导体器件
【主权项】:
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