[实用新型]一种沟槽MOSFET器件有效
申请号: | 202021384299.2 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN212587512U | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 袁力鹏;唐呈前;李生龙;杨科;夏亮;完颜文娟;常虹 | 申请(专利权)人: | 华羿微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 党娟娟;郭永丽 |
地址: | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种沟槽MOSFET器件,涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括:有源区沟槽,外围沟槽和外延层;所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽;所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度;所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度;所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等;所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 mosfet 器件 | ||
【主权项】:
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