[实用新型]一种高纯锗单晶炉拉制装置有效

专利信息
申请号: 202021389289.8 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN213037876U 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 唐安泰;李建平 申请(专利权)人: 昆明汇泉高纯半导材料有限公司
主分类号: C30B15/32 分类号: C30B15/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650300 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型公开了一种高纯锗单晶炉拉制装置,包括安装板,所述安装板顶部的左侧贯穿设置有钼杆,所述钼杆的底部固定连接有螺纹钼杆,所述螺纹钼杆的表面螺纹连接有石英杆,所述钼杆的两侧均开设有凹槽,所述凹槽内壁的底部贯穿设置有卡销,所述石英杆顶部的两侧均开设有卡槽,所述卡销的底部延伸至卡槽的内腔并与其内壁活动连接。本实用具备便于使用的优点,解决了现有的高纯锗单晶炉拉制装置在使用锗籽晶对热熔锗多晶进行拉制时,使用金属钼杆伸入单晶炉的高温区内,单晶炉内的高温区会对金属钼杆造成影响,容易造成杂质进入到锗多晶内,不便于自动控制锗籽晶进入到热熔锗多晶进行拉制,增加了使用者工作量的问题。
搜索关键词: 一种 高纯 锗单晶炉 拉制 装置
【主权项】:
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