[实用新型]一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统有效
申请号: | 202021415247.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN212713747U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 王宏兴;王艳丰 | 申请(专利权)人: | 西安德盟特半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/27 |
代理公司: | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人: | 刘艳霞 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统,包括:样品托本体,用于水平放置于反应腔内,样品托本体的上方中心处设置有用于导入气流的气体导入口;样品托本体的下部为圆柱体状,其上部包括同轴设置的挡流板和导流台,挡流板位于外侧且为圆环体。导流台为一上小下大的圆台体;导流台的上表面为水平状,用于放置金刚石样品;导流台的下端直径与挡流板内环直径相同,导流台的高度满足以下条件:金刚石样品放置在导流台上时,金刚石样品的上表面不超过挡流板的上表面。在挡流板底部环绕一周间隔、且均匀贯通开设有多个径向导流孔。该样品托为金刚石生长提供一个稳定的气流环境,减少金刚石边缘多晶等缺陷的形成。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mpcvd 系统 导流 式样 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的