[实用新型]一种MOSFET浪涌保护电路有效
| 申请号： | 202021455839.1 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN212695707U | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郭建军;彭国建;马治军;单宛君;任杰 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H7/125;H03K17/08;H03K17/081 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型一种MOSFET浪涌保护电路，用于交流转直流开关电源中，包括MOSFET管、主控IC及连接主控IC的VCC引脚的IC VCC电源电路，MOSFET管的栅极连接主控IC的Gate引脚、源极接地、漏极接与母线电压Vbus连接的变压器一端，为IC提供直流电压供电的主控IC VCC电源电路的二极管一经电阻连接变压器另一绕组的Vout2端，还包括通过Vout2为IC VCC电源电路提供电源的VCC电源电路、控制主控IC供电电源通断的控制电路，该控制电路连在IC VCC电源电路和VCC电源电路之间。其在单级功率因数校正拓扑的LED驱动器中具有保护精度高，具备滞回功能，温度特性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 浪涌 保护 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维安半导体有限公司，未经上海维安半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021455839.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双开关电源热备供电组
- 下一篇：一种接地电阻测试用探针
