[实用新型]一种在基板上形成选择性发射极的制造装置有效
申请号: | 202021461158.6 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN212485350U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 凌步军;朱鹏程;袁明峰;吕金鹏;赵有伟;滕宇;孙月飞;冷志斌;冯高俊 | 申请(专利权)人: | 江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/064 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 225600 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种在基板上形成选择性发射极的制造装置,包括:激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、控制器、箱体和架体。激光发射部发射激光束;光转换部将激光束转换成相应的偏光;偏光镜允许未经偏光的激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过;光束扩大部将经由偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数;熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置;控制器与光转换部电性连接;其中上述各元器件的底座均安装在所述架体上,控制器控制光转换部开启或关闭,以使熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭,在到达预设选择性发射极区域时开启。本发明制造装置,不需要掩膜即可形成选择性发射极。 | ||
搜索关键词: | 一种 基板上 形成 选择性 发射极 制造 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的