[实用新型]一种高正料比的多晶硅还原炉有效
| 申请号： | 202021489781.2 | 申请日： | 2020-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN213834563U | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张华芹;程佳彪;吴海龙 | 申请（专利权）人： | 上海韵申新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 谢小军 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开发*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型通过一种高正料比的多晶硅还原炉，所述高正料比的多晶硅还原炉包括底盘、设置在底盘上的炉罩、设置在底盘上的电极、设置在炉罩内的硅芯、设置在底盘上的进气口和设置在底盘上的出气口，所述硅芯设置在底盘上，所述电极包括正电极和负电极，所述正电极、负电极和硅芯数量相同、且一一对应，所述硅芯通过电极与外界高压电相接，所述进气口与出气口连通炉罩外和炉罩内，所述底盘上以底盘中心为圆心依次间隔设置有硅芯同心圆和进气口同心圆，所述进气口和硅芯在每一个同心圆上均呈圆周阵列分布，所述硅芯均设置在距离相邻进气口的中心点处。能够减少硅棒碳含量、减少硅芯各处温差、提高成品硅芯质量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高正料 多晶 还原 | ||
【主权项】：
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