[实用新型]一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池有效
| 申请号： | 202021502878.2 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN213366533U | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李俊毅;陈舜钦;姚恒裕;林雅芳 | 申请（专利权）人： | 北京新毅东科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙) 35238 | 代理人： | 易敏 |
| 地址： | 100000 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及光刻机领域，尤其涉及一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池，包括有安装筒、腐化剂池、十字放置架、卡接片、驱动组件、出液管和阀门；腐化剂池固接于安装筒顶部；出液管固接于腐化剂池侧壁，且与腐化剂池内连通；阀门固接于出液管；驱动组件固接于安装筒内壁，且输出端贯穿腐化剂池向腐化剂池内延伸。本实用新型达到了加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 生产 半导体 晶片 腐化 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
