[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202021524866.X | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN213026136U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括衬底和位于衬底上的体区，体区上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，在集电区和基区区域中包括场氧区，在该场氧区上包括场板结构，该场板结构为阶梯场板结构。本实用新型的半导体器件的场板结构在集电区与基区之间的PN结反偏时，可以调节集电区电场，辅助耗尽集电区，在不影响集电区的尺寸和掺杂浓度的情况下，提升器件的耐压，并且阶梯场板结构在集电区和基区区域中提供不同规格的调节电场，针对不同位置提供不同的调节电场，提升了场板结构的应用效果，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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