[实用新型]一种防水性能高的半导体有效

专利信息
申请号: 202021533250.9 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN212676241U 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 李麦果 申请(专利权)人: 成都芯翼科技有限公司
主分类号: H01L23/06 分类号: H01L23/06;H01L23/08;H01L23/373;H01L29/861;B32B25/04;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/02;B32B15/04;B32B15/085;B32B27/06;B32B27/32;B32B33/00
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 别亚琴
地址: 610000 四川省成都市金*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种防水性能高的半导体,包括半导体外壳,所述半导体外壳的左侧设置有阳极引线,所述阳极引线的右侧电性连接有金属触丝,所述金属触丝的另一端电性连接有N型锗片,所述N型锗片的另一侧电性连接有阴极引线,所述半导体外壳的表面设置有防护层,防护层包括耐腐蚀层、防水层、散热层、加强层和绝缘层。本实用新型通过设计耐腐蚀层,避免空气中的酸性液体腐蚀防水层,提高半导体的使用寿命,通过设计防水层,避免空气的水分渗透进入半导体的内腔,提高防水效果,通过设计散热层,导热系数高的材质可以加快热量的传递,避免热量堆积烧坏半导体,从而达到防水性能高的效果,解决了现有半导体防水性能差的问题。
搜索关键词: 一种 防水 性能 半导体
【主权项】:
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