[实用新型]一种多轨道硅片缓存机构有效

专利信息
申请号: 202021596632.6 申请日: 2020-08-04
公开(公告)号: CN212967634U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 吴廷斌;张学强;张建伟;罗银兵;朱方松 申请(专利权)人: 罗博特科智能科技股份有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 王佳丽
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种多轨道硅片缓存机构,所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件,所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。此机构可人工调整各缓存侧板之间的间距来缓存硅片,目前可以兼容市场上所有规格主流硅片规格。由于采用的是双丝杆直线模组,相比单丝杆直线模组加导轨机构平顺性要好得多,没有卡顿的想象。由于此缓存机构置于传输轨道之上,当设备故障处理完之后,此机构会进行方片处理。
搜索关键词: 一种 轨道 硅片 缓存 机构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗博特科智能科技股份有限公司,未经罗博特科智能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202021596632.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top