[实用新型]具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片有效
| 申请号： | 202021688890.7 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN212783461U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张稚菱 | 申请（专利权）人： | 奈沛米(上海)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 何佳 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，包括：一晶片本体；其包括源极、闸极及汲极；该碳化硅V型金氧半导体场效晶体(VMOSFET)晶片的源极及闸极配置在该晶片本体的上方，而该VMOSFET晶片的汲极则配置在下方；以及其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片可以承受相当大的电流，而且外接的导线可以很容易地安装到该闸极上。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 双闸极 碳化硅 型金氧 半导体 晶体 晶片 | ||
【主权项】：
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