[实用新型]大功率快速散热型MOS器件有效

专利信息
申请号: 202021723069.4 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN212517180U 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 张开航;马云洋 申请(专利权)人: 苏州秦绿电子科技有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/18
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 王健
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开一种大功率快速散热型MOS器件,包括:MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚;陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽,此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块;所述源极管脚与第一导电条电连接,所述漏极管脚与导电块另一端电连接,所述栅极管脚与第二导电条电连接;所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。本实用新型大功率快速散热型MOS器件降低了功率MOS的热阻,从而有利于进一步提高器件的功率,也提高了器件的可靠性。
搜索关键词: 大功率 快速 散热 mos 器件
【主权项】:
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