[实用新型]负压端口静电防护电路有效
| 申请号： | 202021742990.3 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN212625576U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 聂虹;孙英;苏香 | 申请（专利权）人： | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种负压端口静电防护电路，包括：PMOS管，NMOS管及电阻；所述PMOS管的源极、栅极及衬底连接电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述NMOS管的源极并连接至芯片的负压输入端；所述NMOS管的源极、栅极及P阱电极连接在一起，所述NMOS管的漏极及深阱区电极接参考地；所述电阻的一端连接所述PMOS管的漏极及所述NMOS管的源极，另一端连接内部电路。本实用新型的负压端口静电防护电路在输入负压时对人体或机器瞬间接触产生的大电压或大电流进行泄放从而有效保护内部电路，同时通过限流进一步减小对内部电路的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 静电 防护 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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