[实用新型]DDR3存储器有效
申请号: | 202021835752.7 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN213183602U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 颜军;占连样;颜志宇;龚永红;王烈洋;汤凡;陈像;蒲光明;陈伙立;骆征兵 | 申请(专利权)人: | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11B33/04 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑晨鸣 |
地址: | 519080 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种DDR3存储器,包括:功能板、底板及灌封层。功能板上设有若干DDR3芯片及若干电阻,若干DDR3芯片的数据组信号线、时钟信号线、地址信号线及控制信号线分别对应并联,若干DDR3芯片的地址信号线及控制信号线分别通过若干电阻与终端电压电性连接。底板设置于功能板下方,底板底面焊接有若干引脚。若干引线桥分别设置于功能板上及底板上,与若干DDR3芯片、若干电阻以及若干引脚对应电性连接。灌封层将底板及功能板灌封于内,引脚延伸出灌封层的表面。根据上述技术方案的DDR3存储器,地址信号线及控制信号线内部上拉至终端电压,使用时无需在外部再设置电阻将地址信号线及控制信号线上拉,降低布线难度,节约设计时间。 | ||
搜索关键词: | ddr3 存储器 | ||
【主权项】:
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