[实用新型]可控硅整流多绕组变压器的绕组结构有效
申请号: | 202021863339.1 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212625109U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈恒云 | 申请(专利权)人: | 重庆祥龙电气股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/34;H01F27/29;H01F27/30 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 陈家辉 |
地址: | 402560 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本实用新型涉及变压器设备领域,具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构,包括铁芯和多个绕组,绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。本实用新型减小了铁芯的尺寸,在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组,并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。 | ||
搜索关键词: | 可控硅 整流 绕组 变压器 结构 | ||
【主权项】:
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