[实用新型]一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件

摘要

本实用新型公开了一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上表面的P型阱区和N型阱区，在P型阱区上的左右对称N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂半导体源/漏区，在N型阱区上的左右对称P型轻掺杂区，P型轻掺杂区上的P型重掺杂半导体源/漏区，在NMOS和PMOS源/漏区之间的栅极区，在该栅极区下表面的导电介质区，在NMOS和PMOS之间的STI隔离区，在NMOS和PMOS的源/漏区的源/漏极，在栅极区的控制栅极和分裂栅极。该器件通过改变沟道区掩埋导电介质的掺杂元素、剂量或区域减小沟道比导通电阻，通过控制栅和分裂栅的栅结构，提高该器件的开关速度。