[实用新型]一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置有效
| 申请号： | 202021917734.3 | 申请日： | 2020-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN212542374U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邹宏伟 | 申请（专利权）人： | 邹宏伟 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511400 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽，蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置，供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴，供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部，供气箱的顶部固定连接有供气管，供气管的一侧端部固定连接有气泵，气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁，供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管，传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管，第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴；蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件，滚动组件转动连接有动力机构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制造 蚀刻 高压 气体 供气 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邹宏伟，未经邹宏伟许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021917734.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防刺伤注射针护套结构
- 下一篇：一种电子芯片酸腐蚀出硅装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
