[实用新型]一种电子芯片酸腐蚀出硅装置有效
| 申请号： | 202021917744.7 | 申请日： | 2020-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN212542375U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邹宏伟 | 申请（专利权）人： | 邹宏伟 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511400 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电子芯片酸腐蚀出硅装置，包括酸液槽，所述酸液槽顶部左侧面固接架体，所述架体侧面固接电机，所述电机转轴固接转盘，所述转盘表面边缘位置固接固定轴，所述固定轴转动连接悬挂臂；所述悬挂臂底部内部固接小型电机。本实用新型在使用时只需将硅片放置在夹持组件进行固定，启动装置后，硅片会在悬挂臂的运动下通过开口处反复进入酸液槽中，进行腐蚀出硅，自动化程度高，避免了酸液由于晃动喷溅到操作员身上的情况，此外夹持组件会在小型电机的作用下作90度间隙转动，使得硅片会反复以垂直或者水平的方式进入到酸液中，使硅片表面腐蚀均匀，保证整个硅片上所形成沟槽的一致性，提高了良品率，变相节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 芯片 酸腐 蚀出硅 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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