[实用新型]一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置有效
| 申请号： | 202021940774.X | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN212783387U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵俊男;徐文汇 | 申请（专利权）人： | 济南鲁晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市市辖区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置，包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统，冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机，传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带，传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间，主动传送轮与电机输出轴相连；铜管布置箱体位于传送皮带上方，轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面，铜管两端与制冷系统相连，铜管主体设置于铜管布置箱体内。本实用新型代替现有自然冷却风干方式，用于烧结后碳化硅二、三极管的快速冷却，提高产能，减少自然冷却的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体 烧结 冷却 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
