[实用新型]重掺砷低电阻掺杂器具有效
| 申请号： | 202022046964.3 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN213327924U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李小红 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 曹广涛 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 一种重掺砷低电阻掺杂器具，包括石英盖、石英罩，石英罩的内部固定设置有混合引流件，混合引流件外壁的中间位置固定设有支撑连接板，支撑连接板与石英罩的内壁固定连接，使支撑连接板、石英罩、混合引流件之间形成一个用于盛放固体砷的盛放腔，石英罩的顶部设置有定位凹台，石英盖设在定位凹台内，石英盖的下端延伸至混合引流件内；通过将固体砷放入到盛放腔内，利用氩气将挥发的砷从盛放腔引入到混合引流件内，使挥发的砷充分混合均匀，并利用混合引流件将氩气及挥发的砷加速后向下流出，使挥发的砷与硅溶液接触，并使挥发的砷充分溶解到硅溶液内，使硅溶液内的砷浓度增加，从而减少的挥发损失量，从而使拉制的单晶晶棒达到低电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺砷低 电阻 掺杂 器具 | ||
【主权项】：
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