[实用新型]低嵌位电压的单向TVS芯片结构有效
| 申请号： | 202022049564.8 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN212725317U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺 | 申请（专利权）人： | 深圳长晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人： | 李捷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括P型衬底、N型扩散区、N+扩散区、P+扩散区、表面结构和第一金属电极，N型扩散区设置在P型衬底一端，多个N+扩散区设置在P型衬底远离N型扩散区一端，多个P+扩散区设置在N型扩散区上，表面结构设置在N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；第一金属电极设置在N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。本实用新型的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，整体结构简单，体积小，占用线路板空间小，可有效保护后端损坏电压不高的线路。 | ||
| 搜索关键词： | 低嵌位 电压 单向 tvs 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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