[实用新型]一种半导体外延结构及其应用有效
| 申请号： | 202022077406.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN213327795U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
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