[实用新型]基板的支撑装置及PECVD设备有效
申请号: | 202022094915.7 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN213113505U | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 敬启毓;蒋雷;黄学勇;谢超;邵博;段乐乐 | 申请(专利权)人: | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 弋梅梅;刘芳 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供一种基板的支撑装置及PECVD设备,基板的支撑装置,包括基座和与基座上配合设置的可升降的支撑机构,基座设有多个通孔,通孔的内侧壁嵌套有第一磁性件;支撑机构包括多个支撑件,支撑件上具有与第一磁性件的磁性相同的第二磁性件,支撑件与通孔一一对应设置,以使支撑件的顶端可经通孔伸出至基座表面,并保持支撑件的外侧壁与通孔的内侧壁之间具有间隙。本实用新型提供的基板的支撑装置及PECVD设备,能减少支撑件与通孔摩擦产生的颗粒,提高产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | 支撑 装置 pecvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的