[实用新型]一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备有效
| 申请号： | 202022097000.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212659519U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 旷运中 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 梁欣 |
| 地址： | 400030 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备，包括连接部和呈环状的提升部，所述提升部包括向上延伸的环状侧壁，所述侧壁的顶面为向内侧下方倾斜的光滑斜面，所述侧壁内侧设有向内凸起的至少三个高度相同的用于支撑晶圆的支撑部，所述支撑部的顶面不高于所述斜面的最低位置。本实用新型不用额外辅助工具就能实现晶圆校准，能有效防止晶圆位置偏移，解决了偏移晶圆传入冷却腔室后位置不好导致的晶圆冷却效果不佳、晶圆刮伤或碎片等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冷却 升降 装置 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
