[实用新型]一种具有多层金属连线的半导体器件有效
| 申请号： | 202022144091.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN213660399U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 武吉龙;林科闯;郭佳衢;邱宗德;高谷信一郎 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有多层金属连线的半导体器件，包括由下至上按序设置的半导体基底、第一介质层、第一SiN层、第二介质层和第二SiN层，还包括第一金属连线层和第二金属连线层，第一金属连线层嵌设于第一介质层之中，第二金属连线层嵌设于第一SiN层、第二介质层和第二SiN层之中；第一金属连线层的底端与半导体基底相连，顶端与第二金属连线层的底端相连，第二金属连线层的顶端至少部分外露于第二SiN层。通过低介电常数材料减少在导电线或元件间的寄生效应，通过SiN的高防水性阻挡水汽，可实现多层金属连线结构中对减少寄生效应和增加可靠性两个方面的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 金属 连线 半导体器件 | ||
【主权项】：
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