[实用新型]可控硅结构有效
| 申请号： | 202022145791.0 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN212725318U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;吴沛东 | 申请（专利权）人： | 深圳长晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人： | 李捷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。本实用新型的可控硅结构，提高了电压和电流的调节能力。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
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