[实用新型]能双面散热的功率半导体器件老化座装置有效
| 申请号： | 202022164128.5 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN213210350U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙元鹏;梁林杰;宋志威;张文亮 | 申请（专利权）人： | 山东阅芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/00;G01R1/04;H05K7/20 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 264315 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。其包括座体下盖以及座体上盖，在所述座体上盖设置上盖散热器，在座体下盖上设置下盖散热器；通过座体上盖能将支撑在座体下盖上的功率半导体器件压紧在所述座体下盖上，且座体上盖通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖相互锁紧；功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时，功率半导体器件的器件端子能位于所述座体上盖、座体下盖相对应的外侧，通过上盖散热器、下盖散热器能对功率半导体器件进行散热。本实用新型对老化试验中的功率半导体器件能进行双面散热，提高散热速度，确保功率半导体器件在老化试验中的可靠性，结构紧凑，使用简单，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 散热 功率 半导体器件 老化 装置 | ||
【主权项】：
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