[实用新型]一种用于高温条件下腐蚀测试晶片的装置有效

专利信息
申请号: 202022169114.2 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN213337008U 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 陈娅君;刘汉保;柳廷龙;普世坤;叶晓达;柳廷芳;黄平;吕春富;张春珊;王顺金 申请(专利权)人: 云南鑫耀半导体材料有限公司
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 董昆生
地址: 650000 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种用于高温条件下腐蚀测试晶片的装置,属于半导体材料技术领域,包括圆柱体腐蚀锅本体和放置在腐蚀锅内的晶片承载装置,所述晶片承载装置包括数层半圆形载片,载片上设置有数个通孔,载片之间使用数根肋条沿载片边缘固定连接,肋条顶部固定连接有和腐蚀锅本体相匹配的盖体,盖体顶部设置有把手,且盖体上设置有开口,开口处设置有活动盖片,采用本实用新型装置,可根据测试量增加腐蚀装置的层数,且每次腐蚀的时间约为5 min左右,即解决了晶片腐蚀不均匀等问题,还挺高了每次腐蚀测试晶片的效率,从长远的角度看,该实用新型具有降低生产成本、物料成本以及提高工作效率等优点。
搜索关键词: 一种 用于 高温 条件下 腐蚀 测试 晶片 装置
【主权项】:
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