[实用新型]SDRAM存储器有效
| 申请号： | 202022222295.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN213184274U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 颜军;占连样;颜志宇;龚永红;王烈洋;蒲光明;陈伙立;骆征兵 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/495;H01L23/31;G11C5/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑晨鸣 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SDRAM存储器，包括：自上而下堆叠的N片存储基片、引线框、灌封层、金属镀层及铜带。其中，自下而上数前N/2片存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，后N/2片存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，第奇数片存储基片的片选引脚电性连接，第偶数片所述存储基片的片选引脚电性连接，N片存储基片的数据总线引脚、地址引脚、时钟引脚、控制引脚、电源引脚及地引脚分别对应电性连接。根据上述技术方案的SDRAM存储器，存储基片的引脚可以通过金属镀层及铜带实现电性连接，无需进行PCB板走线设计，降低设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | sdram 存储器 | ||
【主权项】：
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