[实用新型]一种高功率芯片有效
| 申请号： | 202022276679.0 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN213042740U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 唐宁;陈乔 | 申请（专利权）人： | 昆山昊盛泰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C1/14 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型一种高功率芯片，包括压敏电阻瓷体和设置在所述压敏电阻瓷体表面上的复合铜电极，所述复合铜电极包括第一铜电极，其设置在所述压敏电阻瓷体的表面，与所述压敏电阻瓷体的表面直接接触，第二铜镀层，其设置在所述第一铜电极的表面，所述第二铜镀层在2‑5微米，本实用新型结构简单，将镀铜层厚度限制在2‑5微米，减少了成本投入，不改变其良好性能，保证了良好的导电、结合力等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 | ||
【主权项】：
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